新闻中心
2021-12-14
11月3日，2020年度国家科学技术奖励大会在北京举行。由新洁能主力参与完成的“高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得2020年度国家科学技术发明奖二等奖。
项目组开展关键核心技术攻关，在浮置衬底高低压兼容技术、低损耗功率器件技术、抗瞬时电冲击智能电路技术和高功率密度集成互联技术等四方面取得系列创新发明，构建了高压智能功率驱动芯片设计与制备的技术体系。
作为国内半导体领域的领军企业，新洁能将会贯彻落实“研发先行”的理念，开拓新的发展方向，填补国内相关领域的空白，满足未来大量新兴产业对功率半导体的需求, 为国家经济的新发展提供撬动点。
最新资讯
-
07-05
2022
-
04-22
2022
-
03-07
2022
-
03-01
2022
-
01-13
2022
-
12-20
2021